请问rf mos器件与普通mos器件的区别？

我想问的是：同一个工艺的PDK（比如说 smic 0.18 的rf mix signal工艺）
里面有rf_mos与普通mos
那么从layout上看这两种mos只有一个层次不同（rf_mos多了一层rf define，而这层应该不会做成masker的）
再有就是最大最小尺寸的rule不同，以及仿真model的区别；
那么我想请教的是，这两种器件在工艺上有无其他不同，比如说额外的注入啦，或者不同的栅氧厚度啦，之类的。
谢谢。

会的人来 回答一下

T_T一直弄不清楚呀

个人认为，两种器件在工艺上没有不同，rf_cmos只是促进了模型精度和具有较好的保护。

就器件本身来说应该是一样的，但是外接连线是不一样的

感觉只是模型的差异，rf的模型更精准，因此仿真量更大。

哦。原来如此。我仿真的时候发现温度系数变化挺大，还以为工艺上有区别。

没有区别。rf的模型在普通mos的基础上加入走线和nwell的参数
可以打开model看一下网表，就知道了

rf的模型，就是调用mos的DC模型，加入AC参数

我仿真比较了下二者的特性曲线，发现RFMOS上翘得慢一些！ 同样的VGS电压下RFMOS的电流大

rf器件比普通器件可以更加准确的提高仿真精度，一般rf器件在版图上不要进行合并，就是为了保证shematic中的器件model与instance出来的器件layout后仿性能尽量接近。