浮置二极管（Floating diodes）为什么不易在MOS工艺中实现？

根据我的理解，在普通的p衬底n－阱工艺中在阱内注入p，就可以和n阱一起构成一个二极管了。由于衬底一般都接地，所以这样形成的二极管就是浮置的（floating diode）。
但是Paul R Gray的书上说：Floating diodes are not usually available in MOS technologies.(第311页）
为什么会不易实现呢?我的理解错了?

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没有看明白我的问题吗?