二极管反偏电流在工艺库里是怎么计算的？

用smic成都厂.35工艺，仿真mos管时，发现衬底到地的的电流与mos管d极有关，这个电流在d端电压接5V时，衬底接地时，hspice结果显示的是ibd电流，可以达到几个uA，这个可以认为mos管N极d端到衬底直接存在的二极管反偏，其反偏电流达到几个uA,mos管工作在饱和区，而用他上海厂的工艺就没有这个现象，这是不是说明成都的工艺有问题啊，二极管反偏电流太大了?
大家讨论一下吧！还有在工艺库里怎么看这个反偏电流?他的计算跟什么有关呢?

可能是model写的有问题吧

应该是衬底电流吧，nmos管衬底电流随VDS指数变化的