弱弱的求教一个问题，对于pmos管，衬底有时候与源级相连，有时候不连，为何啊

hotwell 与 pmos的饱和导通有关。

我也听过热阱的说法，貌似需要浪费很大的版图面积，具体也不清楚，可以再说具体一点吗，两种接法非别有什么优缺点啊?

我也听过热阱的说法，貌似需要浪费很大的版图面积，具体也不清楚，可以再说具体一点吗，两种接法非别有什么优缺点啊?

版图略大，vth略小，隔离电源noise较好；一般应用于input pair

我的理解是这样的：
对于输入对管是pmos，如果把衬底和源电位接在一起，噪声，PSRR，CMRR会比较好，拉扎维P388页有讲；另外，阈值电压会比较低（衬偏效应小），所以输入共模范围可以比较大；也有一点坏处，你需要一个单独的n阱，因为你这个pmos的衬底并非最高电位VDD，当然不能与其它pmos放一个阱里，要多点面积（其实也不在乎这点面积了）。
如果衬底接VDD，就没有上述的优点了，当然用一个n阱就可以了。一般要求不高的就这样接（高压工艺可能会有变化）。

学习了，谢谢。

谢谢，学习了

substrate

貌似明白了，就是一般都接在一起好了

xue xi le

热阱是什么东西

学习了

赞！

mark...

P管如果衬底接源级，为非VDD,那么就是需要独立的衬底，也即需要独立的N阱，这需要工艺支持，优点就是noise 和CMRR比较好。如果直接接VDD（常见的做法）,则需要考虑衬偏效应，即Vth的改变

学到了学到了,谢谢！

学习了，我们在做电路的时候也经常看到学长这样连接。

解释的很好很清晰。