请教：关于输入管衬底接法的问题

一般来说，将输入管的衬底接源极可以避免背栅效应（体效应）
但如果是N阱工艺，想将运放的NMOS差分输入管的衬底接源极，请问怎么实现（我有试过，但是lVS出错，似乎是因为所有NMOS共用衬底的原因）
谢谢！

这是不可能的对双井工艺尔言,除非你用三井工艺

那在N阱工艺下，做差分运放的输入，
只能将N管的衬底接地吗 或者是使用P管输入?

N-well里不是生成pmos吗?nmos也坐在N-WELL里边?
nmos如果在衬底上，衬底是接最低电位的。
可以采用pmos输入，在nwell里将源和衬短接

nmos是做在衬底上的
看来我做输入的话只能用PMOS了

用类似uA741的结构就可以，但电源电压的最小要求要大些

不懂，哪位大牛帮忙解释一下
另外，难道只有三阱工艺才可以实现吗

三井工艺分别是什么啊?不太清楚啊。

LZ可以考虑用N阱工艺的PMOS管做输入管，这样可以衬底接地，同时1/f 噪声也较小

为啥一定要跟源级接一起，多麻烦

做不到的，P-SUB只有一个电位，
要么就衬底接地，要么用PMOS，选用其它结构

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