这个结构会因为天线效应而击穿吗？

一般说天线效应击穿好像都是针对MOS管的栅极，想问一下下面的二极管和MOS有源区会击穿吗
I/O端接的金属2铝面积非常大（大概10000um^2，工艺是2层金属）,芯片加工时或使用时会因为金属积累的电荷而击穿失效吗?小弟多谢~

还有，对于接到Gate上的大面积metal，将metal中间断开再用poly电阻做跳线可以消除天线效应吗，如图：

个人认为不会，累计的电荷会被你的diode释放了。run一次drc的antenna check，要不报错就没事

多谢~
还有对于接到MOS栅极的情况，用ploy电阻做跳线（相当于中间接个电阻）可以消除天线效应吗?

跳到poly不能消除天线效应，反而跳到最高层可以。

谢谢！目测接到gate的天线比率非常大，但是metal-2已经是顶层metal了

解决天线效应把金属走线跳到最顶层再下来（前提是在这个信号线上只有这一块顶层金属），或者在走线上加一个反偏的diode

谢谢谢谢！
我又有一个新问题，如果我对芯片做FIB，剖片后这个连到gate上的大面积metal暴露在空气中，会不会积累空气中的静电导致gate击穿?（metal上接了ESD）

我觉得metal上有esd就应该不会有esd的问题了。antenna effect 更多的是在加工过程中dry etching积累电荷对gate的影响。

谢谢，再次感谢

写的太浅显,啥都说了,啥都没说

求指教~
什么地方没说清楚?
失效问题我刚接触，很多还不懂

这样做不是不行，要视情况而定。如果这个poly电阻放在靠近MOS管的Gate端，长度为L2，这样将连接到Gate的大面积的metal分成2段（L1+L3，L1接MOS管poly）。如果L2>>L1/L3，或者L2长度与L1、L3相当的话，这样靠近MOS管的metal长度L1就很短，metal上面积累的电荷就很少，就不会将gate oxide层击穿，天线效应也就没有了。如果L2<<L1/L3，这样靠近MOS管的metal长度L1就很大，metal上面积累的电荷就很多，就会将gate oxide层击穿，天线效应就没有消除。

学习了。

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