大家帮忙看一下这个结构的版图是什么器件
现在请问一下大家这个是PNP还是NPN,是横向的还是纵向的呢?这三个端口分别代表什么呢?
谢谢
如果翻番gary的书，英文版，456页，你也许会找到答案
纵向器件
NPN 和PNP这个分不清楚
二楼的真强
有染色的图就能区分NPN、PNP
X应该是集电极，Y是发射极，Z是基极吧！
谢谢大家的讨论
这个版图我从拓扑结构上分析出来应该是NPN管，对应的端口大家都分析得没错。
而且应该是纵向的NPN管，因为在P-Well中不能做横向的NPN
同意二楼的！
好厉害。
我怎么觉得正好相反，P-well中为什么不能做横向NPN?请赐教
6楼正解！
如果画出cross-section的话，X为C的概率太低了吧
如果X是C，则必然是lateral device，那么有个疑问就是有效基区实在太少了，而且不平衡
Grey的书里的模型中，BJT current mirror 的特征是所有的C是环绕着E的，确保有效基区宽度一致并且成比例
个人感觉是vertical device，从面积的角度看X更象E，从对称性角度看，则Y更象E。如果有染色照片以及周围其他确定的器件照片会比较容易判断些
我觉得有可能是横向的PNP管，在中间的那一排是发射极，两面的集电极把发射极包围起来，起到一个很好的收集集电极电流的作用，最下面的那个应该是基极
如果不是双阱工艺的话，只能是PNP管了，呵呵。
因为在p衬上，而且射极只能接最低电位。
在bi-cmos工艺里见过这种发射极很小的横向pnp管
xuexi
xuexi le
是什么工艺啊?双阱的吗?我感觉像是纵向的管子,具体的N, P 可以从染色层看出来的.
一般来说在Bicmos工艺中，可能做纵向npn管和横向pnp管
光从图形上看是都有可能的，但是既然做了解剖，肯定会分析电路的结构与功能
一般电源地先进行区分
电源地区分后，p型器件和n型器件就可以区分了，这样看到具体的器件就可以确定n/p型了
肯定是纵向器件，如果横向的，那么X应该将Y包围起来，要不然电流会从没有围的两边漏掉
假设是NPN，那么X：b，Y：e，Z：c
怎么能肯定是纵向器件呢?
横向器件也未必需要collector将emitter包围起来！不包围只是引起发射极各边的电流密度不同而已！电流会流到哪里去?不会漏掉，因为即使包围，但井作为基区，下面也是通的。
偶反而觉得横向的可能更大！
因为这几个开孔区域的间距时相同的，如果是纵向的话，X是base，Z是collector，但是考虑到X为P+，到p-base有最小距离，同时Z为N+到p-base也需要最小距离，所以Z到X距离要增大！但是现在都是等距。
楼上高见
题目是越来越难哦
同意楼上的
根据21楼的观点，间距应该是一样，那么，我不认为是横向器件。横向器件的间距，不可能一样
我认为是纵向PNP。因为小编说是PWELL，那么集电极应该是P。
X是发射极，面积较大
Y是基极，面积小，个数少，在发射极中间，数量少