MOS超压工作

请教下，tsmc或者umc的55nm标准CMOS工艺下，IO MOS额定电压是3.3V如果必须要工作在4.2V下和5V下，那么IO MOS的Length必须最小取多少呢?
大家有这方面的经验吗?
谢谢！

不可取，特别是产品，自己没事试验玩，可以！
产品有生命周期，超出规定的范围，良率，生命期都会大大缩短。甚至直接不工作

如果是 gate 那没法 3.3v
你超过就是会有风险除非是实验使用
如果 drain
那拉开 space , junction 间都拉开
BCD process LDMOS 都是不同耐压不同距
但是 GATE 是没法超过
不过你可以电阻分压
但 是 resistor 能耐得住