低电压系数的MOS电容底层极板为什么要重掺杂
时间：10-02
整理：3721RD
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ALLEN 35页上讲为了获得低电压系数的MOS电容，底层极板一定要重掺杂扩散。小弟不懂为什么要重掺杂?见图中N+底层极板注入。
使耗尽层的宽度变小，这样在电压变化时就能减小耗尽层电容的影响
这样做是不是有点像Native NMOS, 或者像耗尽型的NMOS，在栅极没有加电压时就有沟道形成，降低了阈值电压?
跟耗尽管的处理方法类似。所以耗尽管很多时候用来做电容用，在很低的电压下电容不会下降太多。native跟这个是不一样的，native的沟道是没有进行掺杂，表现出来的特性接近耗尽管而已