背栅效应与体效应有什么区别

same thing

毛泽东和毛润之的关系……

although the mos is 4 terminal device(D G S B)
but we usually use only 3 terminal (D G S) in normal voltage design,we ignore the Bulk terminal,
in ultra low voltage design,
some resercher use Bulk as fourth terminal to control the mosfet's behavior.
Many papae

adopt bulk control technique to enhance the circuit.

3楼解析的很华丽

有才

一样的，叫法不同而已！

一样的东西，但个人感觉说体效应时，主要是指对阈值电压的影响；讲背栅时主要指对跨导的影响。

一样的东西，但个人感觉说体效应时，主要是指对阈值电压的影响-->进而影响跨导...

两个东西是一样的，在低压设计的时候需要小心

周传熊唱歌比小刚好听！

sheng qiaozhi

一样的东西嘛。