n阱工艺，每个pmos管采用单独的nwell，可以完全消除体效应？
时间：10-02
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n阱工艺，每个pmos管采用单独的nwell，可以完全消除体效应?这句话对吗?为什么?
可以，不过每个nwell都是一个hot well，需要注意latch up issue
hot well?能说的详细些吗，不太懂啊，还有就是需要怎么注意latch up呢?
“完全消除体效应”的定义是什么?