关于mos管体效应的问题请教

这样许多管子需要单独做井，面积会比较大

衬底和源极连接可以很大程度上消除体效应，但寄生电容会变大，而且体效应也不仅仅跟这有关，还跟一些其它的高阶效应有关，你看看BSIM的说明书里关于阈值电压的公式就知道了。Allen的教材CMOS模拟集成电路设计中文版第二版的149~150页有关于衬底接法不同的说明！

工艺上不可实现

nmos衬底是P井 只有接相同的地电位

除非在P WELL 工艺

为什么源与衬底相连的管子要单独做井?

那如果是像tsmc.18 rf工艺，对于deep n－well nmos管，可以把源衬底短接减小体效应吧?

it depends on technology and layout style you use.If you use guard rings and dual-well technology, most likely the backgate and the power rail are not connected directly.

多阱工艺就可以实现了

对的，
现在有很多bulk driven 设计的研究，有兴趣的可以在网上search一下

双井就可以啦

可以相连但是会产生寄生电阻

学习一下