怎么根据BATHTUB CURVE(浴盆曲线)的第一阶段初期失效来筛除芯片？

想问问大家，根据浴盆曲线，芯片失效分为三个阶段，第一阶段是初期失效： 一个高的失效率。由制造，设计等原因造成。第二阶段是本征失效： 非常低的失效率，由器件的本征失效机制产生。第三个阶段： 击穿失效，一个高的失效率（是否存在尚在争论）
想问问 第一阶段 大概预计时间是1年。但是这个失效率是在消费者拿到芯片之前已经被制造商承担了的。我想问问制造商是怎么从比如刚做出来的100个芯片，分析，筛选而过滤之后给客户的? 是要先进行老化（burn-in）测试么?过了一段时间将通过测试的芯片封装再出厂?
十分感谢。可能是我对浴盆曲线还不太了解，所以请大家多多指教

请问你现在对浴盆曲线有了解了吗?能简单说一下吗?