ESD中HBM测试中的有关问题求助！

请教下大家！在ESD HBM测试中地对电源打正电failure了，但地对电源打负电PASS了。地对电源打正电是导通的二极管放电能力应该更强的?但failure了，而对电源负电时倒pass 了?大家看哈都有些啥原因?

地PAD是采用什么ESD保护结构， 多少伏的时候失效的，失效模式是什么，这个地与电源之间的距离多远?

確認一下失效的位置是哪 是否為內部電路 有無薄氧化層的閘極直接接到地

GGNMOS失效模式不清楚，HBM测试时2K就failure,距离不是很远，这种状况一般都有哪些可能?

OK！ Thanks！

有可能是gateoxide击穿了，也有可能是接P-sub的P+有源区面积太小，不清楚，要具体看layout