GSMC 0.13 && UMC 0.11的工艺面积比较，各位大虾多帮忙！
时间：10-02
整理：3721RD
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本人都还没做过这两种工艺，提出些许笨拙的问题，望各位大虾别见笑，多帮忙！
1、UMC的智原的数字0.13与0.11um的gate length都是0.12um，都是8 tracks/3.2um；那么0.11um与0.13um比较来说，数字部分会省面积么?又或者说模拟部分会省面积么?
2、GSMC_Verisilicon_0.13um Low Power_9T的Gate Density为200k gates/mm^2;
GSMC_ARM Metro-SC_0.13um Low Power_7T的Gate Density为276k gates/mm^2;
照以上两组数据，能大概估算面积上会差多少么?当然假设速度上两种工艺都满足。
UMC 0.11um的8T的Gate Density为300k gates/mm^2; 这个面积上又该如何比较?
3、能否从Gate Density的数量上比对就能大概估算出面积差异么?
以上都只是从简介中看到的数据，提出的疑问，还请大家多发言，多聊聊经验。
4、GSMC 0.13 eflash与UMC 0.11 eflash的面积比为1.9:3； 又为何差异如此大?GSMC的反而比较小。
听到的数据，应该没错。
1、UMC的智原的数字0.13与0.11um的gate length都是0.12um，都是8 tracks/3.2um；那么0.11um与0.13um比较来说，数字部分会省面积么?又或者说模拟部分会省面积么?
2、GSMC_Verisilicon_0.13um Low Power_9T的Gate Density为200k gates/mm^2;
GSMC_ARM Metro-SC_0.13um Low Power_7T的Gate Density为276k gates/mm^2;
照以上两组数据，能大概估算面积上会差多少么?当然假设速度上两种工艺都满足。
UMC 0.11um的8T的Gate Density为300k gates/mm^2; 这个面积上又该如何比较?
3、能否从Gate Density的数量上比对就能大概估算出面积差异么?
以上都只是从简介中看到的数据，提出的疑问，还请大家多发言，多聊聊经验。
4、GSMC 0.13 eflash与UMC 0.11 eflash的面积比为1.9:3； 又为何差异如此大?GSMC的反而比较小。
听到的数据，应该没错。
.13/.11 就是shrink 0.9的关系，差别不大
多谢小编，那不同工艺提供的gate density差别那么多，怎么做参考呢?在评估面积的时候。
请问你用了GSMC 0.13um吗?GSMC_ARM Metro-SC_0.13um Low Power_7T 能否提供?
你可以分享吗?
从density上就可以估算数字面积差异了，一般来说贵的有时候会收费。一次性投入还是划算的，换工艺一般省的就是数字和IP面积，模拟部分基本不会省多少的。
你可以分享吗?