40nm design rule中的问题

在看design rule时，经常遇到OPC，这个OPC到底是指什么啊，怎么理解?
例如在SR_DPO Layout Rules中，SR_DPO is used for dummy poly ,and it is a tape-out repuired layer and will be OPC treatment. 我已经查看了一些资料，还是不能很好的理解OPC。
希望各路大侠指教啊！

OPC : optical proximity correction 光学临近矫正，和PSM 配合使用的
就是对tapeout的pattern做一些光学矫正，让更加DFM 话，成品率更高，
在在.18um以下是必须的，
SR_DPO 就是smaller type dummy poly， 和DPO（标准dummy poly）配合使用，
要做些opc处理，都是工艺上的事情， 也不用多管

恩，谢谢你icfb小编。了解了。还有个问题，PSM是process safety management吗? RPO是指什么啊?

PSM： Phase Shift Mask，相移光罩，与OPC相似，也是应用在Mask上的技术， 目的为了让曝光后的图形接近layout mask。
LZ都做40nm，是外企吧， 呵呵。

恩，谢谢你，是的，我刚工作，在台企。呵呵

呵呵。
关于OPC，我举个简单的例子， layout上的一个矩形segment， 经过mask曝光后刻蚀在wafer上的形状不一定能保持这个矩形， 也许四个角都变得圆滑了， 甚至有缩小的趋势， 这就需要OPC技术来给它修回去。

恩，正如你举得例子，那OPC和PSM是怎么配合进行修正的啊?

小编你好，我最近刚接触40nm工艺的版图，不知能否指点一二?