smic 90nm中alpa层pitch

在smic 90nm工艺中，有一个alpa层。在pad开窗上制造。我的理解是由于90nm工艺是铜互连，在pad开窗处制造铝金属，以便ponding。但问题是工艺规则中要求其pitch间距大于150um，为什么要求这么大的pitch间距?
还有，在标准单元库中的pad单元上没有alpa这一层，但设计规则文件中要求画这一层?
设计规则文件中用的是bumping一词，而不是bonding，有区别吗?

是否用alpa取决于你用的封装形式是否是flip-chip

谢谢！
如果不采用flip-chip，是否就可以不用alpa?但设计规则里“PA(passivation-1) opening without ALPA above landed on TM is not allowed.Should check this after logic operation if ALPA is not drawn”是否是TM上要求必须做alpa；
还有，flip-chip封装，为什么要求150um的pitch?
谢谢指点！

alpa 或者是PA/RDL的logic operation得来， 只影响封装这层的东西，
和stdcell无关，
至于150um pitch，好像是大了一些，不需要那么大的

请教一下：RDL: redistribution layer是什么意思?做什么用?谢谢！
（smic 90nm后来将RDL规则合并为alpa部分中了）

ALPA是logic operation layer的话，你需要看看计算公式，知道它是由啥计算来的
pitch的话是你那个pad的大小再加上space，所以具体space多少你算一下就知道了。具体数值按照rule走，不做评价。

如果不用flip-chip封装可以不用考虑。你也注意到了，它用了bumping而不是bounding，你懂的。

好东西啊啊啊

没看明白

弱弱问一下，pitch是什么?它的作用是什么?

不错，知道啥是alpa了，就是flipchip的rdl层