添加welltap cell的作用

有些标准单元的版图没有画阱接触孔和衬底接触孔,而是把这两个孔做成单元,这样在做PR时可以节约面积,如果不加,那么会发生latch-up效应,芯片变硅片啦.

能不能说的具体一点哇

这个如果你学过集成电路工艺方面的就和好理解了，well tap的作用简单说就是为了克服集成电路常见的latch up现象，特别在小尺寸在这个现象更严重。
我想请教lz一个问题：encounter这个软件你用过没?我还不知道怎么加well tap；还有就是什么时候加well tap比较合适?

MOS 是四端器件，衬底不接即有一端悬空，功能当然不能保证。另外易引发latchup也是重要原因。

学习了，之前对welltap cell一直没啥了解

floorplan定下来就的加well tap cell 。 最好和endcap一起加 。
encounter 命令： addWellTap 。 option根据工艺来定， 注意TAP cell的distance问题。太远有latchup问题，太近占Place和routing 的resources 。

做成一个单元，怎么实现的，谢谢

有人能说得更具体些么，怎么加welltap，怎么定尺寸的?

一般在做完floorplan 在物理综合前加这些单元。
addWellTap -cell * 后面的option 需要根据你的design来具体设定了。
一般wellTap的作用范围是30~40um，具体的数据需要参考工艺厂商给的document。
在40nmTSMC给的是30um，即每隔60um的距离加一个tap cell。
最好在placement完之后做一下LUP.6的DRC检查。可能有些地方需要多加一点。

一般工艺库里有这个单元，直接添加就行

学习啦~谢谢咯