关于天线效应

天线效应解决办法不是一般有跳线这种办法。有的是跳一层就可以，有的是要跳到顶层。对于跳到顶层的我不是很理解，为什么下面几层的金属长度都算到一起，而顶层的就不算呢，难道是顶层的工艺跟其他层的不同?希望有哪位牛人能出来指点一下！

你这些资料在哪找到，能否给我发一份，多谢了
ghost_reallife@163.com

我觉得你的理解和图上有偏差，图上说的不是在top metal跳线不会有antenna效应
在IC制造过程中top metal还没有接上的时候，gate上挂的metal 是floating的
应该是他把更长的metal连线接在diver的drain端了，gate看到长线，有电荷聚集，会被击穿，但是drain端时反偏pn结，不怕antenna效应
我觉得因该这样解释吧

果然很不错呀,呵呵

小编这些资料能否给我发一份，多谢了
lixiang960531@126.com

首先感谢3楼的回答！
大家需要资料的话 我给大家共享份好了 大家可以去下载区下 我马上共享上去！

3楼我们明白你的意思了 说实在我对天线效应也只是完全自己的理解（看了一点概念，可能有偏差） 你的意思在金属线没有和driver连接时floating的 他们所有线上的电荷都不能得到释放积累导致gate氧化层击穿但一旦和driver连接之后所有金属线上的电荷都会释放掉 是不是这样啊

不错。谢谢

好东西谢谢小编就是不知道 共享在什么地方

很经典的方法

不错啊谢谢啊

有点疑惑就是，如果没有跳线的话，长线金属一端连接漏端反偏pn结，另一端连接gate端，是漏端pn结先放电呢，还是gate端薄栅氧被击穿呢?还是说天线效应之所以发生，就是因为远水解不了近渴，所以需要在离gate比较近的地方加反偏diode或者加跳线?