防止天线效应时，layer jump为什么不往下层Metal跳线？

我记得论坛有人回答过啊，比如说一根L1+L2+L3长的METAL3，
如果往下跳L2，那么在制造METAL3的时候，虽然减小了L2，但是还有L1+L3（因为都连上L2）的长度
如果往上跳的话，制造METAL3的时候，因为L1和L3还是断开的，所以这个vio的长度就是L1或L3，效果更好。
不知道解释清楚了没

天线效应是由于工艺制造过程中的电荷积累而形成的效应， 请问通过metal4 把metal3连起来与通过metal2把metal3连起来在电荷积累上有区别吗?对于这个问题我一直很不明白，请高手指点。

有区别啊 用M2连的话，在制造M2的时候，没问题，但是 在制造M3的时候，有2段要通过M2积累电荷，也就是说效果只是减小了M2的那段。
而通过M4相连的话，制造M3的时候，只有一段（其实还是2段，但是2段分开了，没接在一起，所以可能vio的只是2段中最长的那段），然后制造M4的时候，M3的电荷早就放完了，就只剩下M4的那段，所以效果要好
我也不知道说的对不对，只是我的理解，还请大牛指正啊！

貌似金属每层层刻蚀后是有个放电处理工序，4楼说的有道理

所以对于跳到顶层了还是有天线效应的情况，往下跳层也是解决天线效应问题的一个方法。

往下跳也许是个选项， 比如修top layer的天线，
一般是往上跳， 和半导体生产工艺的电荷积累机制有关系，

4楼就是正解， m3往m2 跳 那造m3的时候 还不是m3+m2的长度么， 积累的电荷一点也没减少这主要是制造顺序决定的～ m2先，

恩，4楼讲得很对，我感觉也是与制造过程有关。因为在制造的时候，如果是向下跳的话，在制造M3的时候，虽然把中间那段打开了，但是由于M3的两段还是通过M2是连接在一起的，所以，M3还是会收集电荷。4楼这个说法还是很有道理的。
我另外的想法是，由于在制造工艺的时候是先敷一层绝缘层，在添加上掩膜，再敷上一层金属层，所以从这个角度来谈的话，向下跳线实际中就没办法实现，因为在敷金属层的时候是一块面积整个敷上去，只有被掩膜遮盖的地方留出了via的地方，这样的话如果M3就没法往M2跳，因为M3是直接就敷上一整层的。而想上M4跳可以的原因是因为，在敷M3的时候可以先添加掩膜将需要断开的部分断开，这样在敷上M3的时候就会出现断开的M3，而M4就可以把这两个via填充，形成向上跳线。

学习学习！

学习学习啊

学习！

good good study ,day day up

4楼讲得很有道理！

终于看懂了四楼说的东西了

说4楼正确的都去面壁。
这么基础的知识都搞错。
往上跳最主要原因是绝对会连接到diffusion，电荷被衬底走掉。

刚查了一下百度百科：
在芯片生产过程中，暴露的金属线或者多晶硅(polysilicon)等导体，就象是一根根天线，会收集电荷（如等离子刻蚀产生的带电粒子）导致电位升高。天线越长，收集的电荷也就越多，电压就越高。若这片导体碰巧只接了MOS 的栅，那么高电压就可能把薄栅氧化层击穿，使电路失效，这种现象我们称之为“天线效应”。随着工艺技术的发展，栅的尺寸越来越小，金属的层数越来越多，发生天线效应的可能性就越大。
　　在深亚微米集成电路加工工艺中，经常使用了一种基于等离子技术的离子刻蚀工艺（plasma etching）。此种技术适应随着尺寸不断缩小，掩模刻蚀分辨率不断提高的要求。但在蚀刻过程中，会产生游离电荷，当刻蚀导体（金属或多晶硅）的时候，裸露的导体表面就会收集游离电荷。所积累的电荷多少与其暴露在等离子束下的导体面积成正比。如果积累了电荷的导体直接连接到器件的栅极上，就会在多晶硅栅下的薄氧化层形成F-N 隧穿电流泄放电荷，当积累的电荷超过一定数量时，这种F-N 电流会损伤栅氧化层，从而使器件甚至整个芯片的可靠性和寿命严重的降低。在F-N 泄放电流作用下，面积比较大的栅得到的损伤较小。因此，天线效应（Process Antenna Effect，PAE），又称之为“等离子导致栅氧损伤（plasma induced gate oxide damage，PID）”。
我的理解是：
1. 暴露在等离子束下的导体才会收集游离电荷，且所积累的电荷多少与其暴露在等离子束下的导体面积成正比。就是说在加工M3的时候，M2的金属是不会参与积累电荷的。
2.该导体碰巧只接了MOS 的栅，那么高电压就可能把薄栅氧化层击穿，使电路失效------言外之义就是如果该导体同时还接到MOS的漏端时，不会产生“天线效应”
基于以上两点，就不难理解为什么通常都是向上跳线，因为跳线的线长都不会太长，如L1+L2+L3的线，都是L2要远小于L1和L3，如果往下跳线，对减少天线效应所积累的电荷影响不大，消除天线效应没什么效果。当然在消除天线效应是能使得跳到下层的L2长度和L1+L3相当，当然也可以达到相同效果。

1，往下跳不是不行，只要跳的多。主要是要看各层面积跟栅极面积比值是否超过rule要求。
2，另外就是还要看是不是能接到diffusion，如果能接到diffusion，那么就不会有antenna产生。所以top layer一般是不会产生antenna的。

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梁昌洪

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