求助天线效应的问题！

各位大牛在做天线效应DRC检查时发现,发现对TOP metal 都没有定义,只定义了下层金属的rule .查看一些资料时说"top metal接到diffusion上所以TOP metal 不需要考虑天线效应"对top metal接到diffusion上非常不能理解,这里的"diffusion"指的是什么?

是不是top metal在工艺生产时有个到地的放电工序会把金属上积累的电荷放掉呢?是否金属每层层刻蚀后是有个放电处理工序?

现在主要是M2和M3层有不满足天线规则的,提示说M的周长太长,在改M2是采用了像上M3跳线就可以了(使得单根M2不太长);但在改M3规则时采用向下通过M2跳线(使得单根M3不太长)就不行,M3的天线错误还在！ 是否是只能向上跳线呢?(有些资料上说向下,向上都可以?)

期待大牛们的解答！非常感谢！

top metal也需要考虑antenna effect的， 完整的check包括top metal，
修复天线就3个方法：跳到高层， 及时断开避免长线， 加diode，

谢谢

顶一下

top metal接到diffusion上所以TOP metal 不需要考虑天线效应"?
这是神马意思，为啥想不明白呢?哪里的资料，能否解释下，谢谢

这里的diffusion主要是指MOS的S/D端。除去电容电阻等器件不算，数字后端设计中的每条net上肯定有一端会直接接到某个单元的输出端（MOS的S/D),而检查top metal天线效应的时候，一般此条net上所有的metal都会被计算在内，也就是说从top metal上看下去，必然会有一端依次会接到某个单元的输出端。
有diffusion被计算在内的话，ant检查允许的ratio就非常大（公式：diffusion面积 x 系数 + 常数），所以有些工艺下就直接不去检查topmetal的ant了，但严格来说当diffusion很小，而连接的metal面积非常大的时候，还是会有天线效应的可能。

学习了！3x

学习了,谢谢

天线效应只能向上跳线，因为芯片在制造过程中是先做下层再做上层，你往上跳线，线就是断开的

学习了 谢谢

求问大神，tsmc40nm，单层金属走线连接到pmos的栅极，被击穿的概率有多大?