关于bc_wc和ocv的区别？

ICC?

对，apr用的就是ICC。

bc_wc和ocv是两个不同的感念，前者说的是标准单元多端角的一种，后者是讲同一标准单元在片上不同位置产生的延时不一样

ocv更悲观

前来学习下

ocv 更保守一些

EDI的UG上面就有对这两种分析模式的说明。我记得是在specifyanalysismode那里吧，说的很清楚了

bc-wc应该和MCMM放在一起讨论，作为90nm以前工艺，由于工艺的线性特征比较好，可以只看两个corner，其实是个省事但不严谨的做法，现在到90nm以下，没办法了，各个corner的setup/hold 都可能有问题，很难说看了那个另外几个可以不看的情况，所以就只能MCMM咯，所以MCMM也不是什么新技术，只是回归正道而已。
至于OCV，其实我一直觉得是一个霸道的设置，直接用设derate value的方式来假定每一条path都会出现片上偏差，其实是很悲观的。造成片上偏差，大概几个原因：工艺偏差（这个很难准确估计），电压偏差（就是ir-drop），噪声偏差（就是SI）。目前的流程SI分析已经用得很广了，其实把IR-drop对timing造成的影响做反标的技术也成熟，不过好像用得不多，再就是所谓的Area-based的OCV，不过好像用得也很少。不过传统OCV的做法太悲观，估计会慢慢被新的分析方法代替。

AOCV （advanced OCV） 用在28nm上啊， 就是fab（比如tsmc）提供一个aocv table，
ocv 参数随着logic depth 变化的， 一般用在clock path上， data path还用constant derate factor，
cadence推的 location based or stage based OCV 和AOCV 类似，一样的意思，
在ocv概念出来之前， bc-wc是最好的模拟，但是实际上不准， ocv 配合MCMM 是现在最清楚的描述方式
就是让pr工具和pt signoff一样，一个corner 一个mode 设一种corner 来run， 很清楚，
你上面那个问题， 即使是同一种lib， ocv和bc-wc的计算方法不一样的， 特别是transition的计算方法
ocv更悲观些，你可以看pt的说明

AOCV，这个好像更严格些。

这样的， 没比较和普通ocv 哪个更悲观些，
aocv 更精确吧，都是flow推的

学习基础知识，顶一个

mark，小白学习啦

新手学习下了

顶10楼，目前我们28nm都是AOCV，OCV太悲观。用AOCV能去掉80%的违例。

结果是不一样的，slew选择不同
bc_wc模式下，setup用max slew，hold用min slew
ocv模式下，setup的launch path用 max slew，capture用min slew，hold反之
除了slew选择不同外，不知道是否其他的还有不同?
derating和OCV没有必然联系，完全是两个概念
bc_wc模式下也可以deratig

顶楼上

set_operating_conditions -analysis_type on_chip_variation \
-max slow -min slow
和
set_operating_conditions -analysis_type bc_wc \
-max slow -min slow
的静态时序的结果是一样的吗?

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BC WC 分别是什么?

结果应该是不一样的

请问在placeopt阶段设置的OCV，是怎么加在clock和data path上的?因为clock 是ideal的

对哦，确实没考虑过这个问题。OCV和AOCV都是推荐加在clock path上，这样的话，貌似在CTS前，这个设置没啥用。从timing中反应不出来。

learn.....

BC：Best condition
WC： Worst condition

学习一下 单个scenario的飘过

请教下，“OCV和AOCV都是推荐加在clock path上”这个是从哪里看到的呢? 有什么依据没

学习啦-