NDR中为什么金属越宽对crosstalk免疫力越强

边缘电容占大头，平板电容占小头，一句话：变化不大
估计你说SI变好是因为NDR Spacing

但是与上下金属的面耦合电容也增大了
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金属从侧面看的剖面图是瘦高形，两边的平行电容大于上下的电容。
高宽比一般是2:1左右。

刚查了下资料，确实侧向电容要大些，即同层金属之间的耦合电容要大些；
所以crosstalk主要还是看侧向电容；所以书上对于增大宽度，可能只考虑它的驱动能力增大这一点；

但实际电路中，应该是增大宽度之后，虽然面积电容(即M1与M2这样的)确实增大了，但是电流能力也增强了，电流增大那么抗crosstalk能力也增强，可能是两者一个tradeoff；

增大宽度对驱动能力能影响多少呢?增加宽度同时减小了线间距，带来严重的耦合电容，crosstalk不是更严重吗?

(1) 具体增大多少没有对比过，但肯定可以的，cts时候出了double spcing，有时候还会double width就是这个道理
(2) 增大宽度以后，上下金属的面电容增大了，是因为W增大了，左右金属的线间距虽然减少了，但是左右金属采用了double spacing，所以左右金属的电容是不变的；而在crosstalk中，占主要部分的应该就是左右金属的耦合电容

还是靠工具计算吧，这种东西太细节了

槽点太多，实在是无力吐......

额 请指正，刚入行没多久！多谢了先