about mcmm

各位大侠，兄弟对于mcmm的意图还不甚了解，先不考虑multi-mode。比如65nm可能有很多个corner，是否要对每个corner都建立scenario呢?我只针对max and min两种corner去做timing analysis and optimization不可以吗?如果只有max and min是否就不需要建立scenario了?

在65nm ，max 和min timing满足了，其他的不一定能满足，最常见的是温度反转效应。
不一定所有的corner都放进去优化，但是还是检查一下为好，特别是UDSM，流片太贵了。

只要把dominant（main） corner覆盖就行了， 比如65nm 有2个setup critical corner: WC , WCL
2个hold critical corner: BC , LT ,
用这4个就够了，signoff的时候还要多些，不过都相距不大

所有的corner都check下，总是好的，我曾经遇到过问题，优化时当然以max、min

我是否可以针对每个corner进行ocv分析?如果进行ocv分析的话，那么就需要提供max and min lib给工具，而针对每个corner来说，max and min又是怎么定义的?

max, worst case, 如同icfbicfb版大所說, 看WC 跟WCL, 主要修setup
min, best case, 看BC , LT, 修hold

我的意思是WC是一个corner，WCL也是一个corner，我分别建两个scenario来让工具去优化。那么如果采用ocv分析方式的话，就需要指定一个man and min，那么在这个corner内的max and min是什么?

各位大侠，难道没人用过OCV吗

请问：wcl 和 lt是什么的缩写?

还有rcbest和rcworst.....
自己看手册去吧

问个缩写干啥，知道是啥条件比这个重要多了
Worst Case Low Temp
Low Temp

我一般用WCL-Cworst, WC-Cworst, LT_RCworst, ML_RCworst 4个scenario，setup和hold都打开，当然setup在WCL和WC corner下才有vio，LT和ML打开setup主要是修max_tran vio
hold这四个corner修了以后，其他corner基本都没有vio了
90nm一下一般需要ocv分析，一般直接设置timing derate就行了，有的工艺每个corner下有max和min两个库，需要设置set_min_library

难怪guide ocv设置的时候还是用-max -min ,一直觉得是矛盾的

谢谢分享！