不同工艺下电子迁移率有区别么
时间:10-02
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不同工艺下电子迁移率有区别么
我怎样可以得到不同工艺下相应的典型工艺参数呢,如阈值电压、电子/空穴迁移率等
我怎样可以得到不同工艺下相应的典型工艺参数呢,如阈值电压、电子/空穴迁移率等
有没有具体工艺的具体参数表呀
工艺越小 越明显吧?
好,我看看
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即使是同种工艺,不同的代工厂商生产得到的产品迁移率都差很多(charter的数据就比smic的高不少)具体数据可以从投片公司获得。
TSMC和SMIC接近
自己作个曲线图都可以
FAB那里有数据的。你可以看到。这个经验吧。做的项目多了,接触的工艺就多了,就大概知道各种工艺的典型参数了。
da^^^^^
当然不同啦, 掺杂都不同
学习了!
不想自己做曲线。要去哪里查?还有够到调制系数什么的,去哪里查?有人帮忙解答吗?
simulation model -->bsm4U0 即迁移率
这些foundry会提供的
多谢!
掺杂浓度不同,沟道尺寸不同都有影响的