微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 微电子和IC设计 > IC后端设计交流 > smic018工艺中NLL、PLL、NLH、PLH这几层求解释

smic018工艺中NLL、PLL、NLH、PLH这几层求解释

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
最近在看smic180nm的工艺,看到有这么几层不知道是干什么的,NLL(1.8v NLDD Implantation)、PLL(1.8v PLDD Implantation)、NLH(5v NLDD Implantation)、PLH(5v PLDD Implantation).从网上查到了一些内容,说LDD是浅掺杂源漏的意思,在短沟道器件下减小源漏的电场强度用的。不知道这几层该不该用?

NLL是低压NIMP,PLL是低压PIMP,NLH是高压NIMP,PLH是高压PIMP

这些都是foundry给做,应该用的

好的,谢谢

好的,受教了

该不该用是有design rule决定的,不是你说了算的。建议好好的研究相关的design rule。

设计规则上没有强调关于这些层是否要用,只是把他们的设计规则列出来了。顺便问一下,如果用了这些层,那么原来的层(比如 n+ implantation)还需不需要用呢。

看mask tooling层次生成

弱弱问一句mask tooling是什么文件

fsdfsdfdsfdsfsdfsdfsdfsdf



这些层次是用来形成LDD结构的,现在LDD结构根据管子的类型以及电压大小而分成四类,一般情况下我们不需要画它,厂家会根据N+ P+层次来生成这些层,看一下掩膜版表就知道了,一般叫mask tooling table

终于见到一个正解了,非常感谢啊

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top