微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 微电子和IC设计 > IC后端设计交流 > 请教各位大侠:用soc encounter做P&R时,怎样让standcell更加均匀的分布啊?

请教各位大侠:用soc encounter做P&R时,怎样让standcell更加均匀的分布啊?

时间:10-02 整理:3721RD 点击:

请教各位大侠:用soc encounter做P&R时,怎样让standcell更加均匀的分布啊(不知道“均匀”这个词是否用对了)?
版图的左边空的好多,是不是可以在哪里设置以下选项啊?这样可以让standcell更加均匀的分布(宽度是固定了的。除了减小高度,重新布线,还有没有其他方法啊?)。



是不是可以在下面的对话框中设置以下选项啊?



非常感谢!

这个主要和timing driven的flow为准,
有时候和timing有关系,比如哪些单元放哪里,

谢谢小编了!
初学soc encounter,很多都不懂,但是我每次问的问题,小编都耐心的解答了,真的很感谢啊!

有很多方法:
1)叫density box (blockage)
2)place mode里面也可以设定max density
3)setPlaceMode里面的module padding
4)instance Padding也可以
5)加placement blockage
但是和那个specify floorplan的窗口没什么关系

和你的pin的位置有关,也就是和timing约束有关
方法倒是有,但是个人认为不用刻意去做

谢谢小编!

谢谢你啦!

看看你的timing是否容易满足,如果很好满足的话,block PR都是可以做到95%以上的。
按照两位小编的建议去调试就可以的

谢谢啦!

95%太高 了吧,啥工艺的
有时候和design有关, 我现在觉得利用率,有的design 死活提高不了,


小编,你说的:
“有很多方法:
1)叫density box (blockage)
2)place mode里面也可以设定max density
3)setPlaceMode里面的module padding
4)instance Padding也可以
5)加placement blockage

能不能具体介绍一种操作的方法啊?不好意思,我是初学soc encounter,用的是界面操作,还是没理解你介绍的方法。
另外,“blockage”不是会禁止在该区域放置standcell和布线吗?
谢谢!

1)
点击


按F3,弹出属性窗口
把hard block,改为density,选择你要的密度
用光标画出这个density box的区域
再不懂的话,去看Encounter Digital Implementation System Menu Reference
或者相关的教学讲义

谢谢啦!

3Q

用blockage控制啊, 可以调整屏蔽比例的。

身临其境!

谢谢啦!

thanks

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top