什么叫做阱偏效应，如何解释？
请大家给予解释，讲解一下原理，谢谢！
除此还有LOD（length of the OD region），OSE（OD space effect），PSE（poly space effect）等解释及原理。
搜一下飞思卡尔那篇关于WPE的解释，主要是离子注入透过光刻胶散射的问题。
注入一般是斜射的，因为晶格的关系。然后如果D或S的W或L太小，G的左边和右边会不对称，大概是这个意思
还是没有人来解释，偶也不知道呀！那工艺接触不到，不了解！看后续有没有大牛来解决！
LOD：搜索论坛会给你解释，已经很清楚了
还有，这些效应，工艺文档上会给出比较详细的解释；
如果还不懂，可以写出来，别人才好给你解释~
wpe：在做阱时，阱掺杂离子在阱的边缘区域发生衍射（离子和光刻的二氧化硅边缘发生衍射），会有少量离子注入边缘的阱中，导致边缘的管子和里面的管子背栅掺杂不等，引起失配，解决方法 阱边缘 离有效 的管子 远一点， 可以 将dummy管子的 长度 做 的 大一点 ， 还 可以 减小 sti效应
复杂呀
主要是与工艺有关
6楼讲的不错，和我印象中的一样，只是那时不知道怎么回事，不晓得为什么。谢谢帮助
重要的mos，在55以下，要是L比较小，可能会加1~3个dummy
做SMIC 40nm的片子伤不起啊！
6楼的解释，看懂了，tky.
wpe和sti是nm级的才要考虑吗
赞6楼
不明白的地方被解释通了，渊博的人类
xuexile
学习了
学习之
这个?
在离子注入制造工艺时，原子从掩模板的边沿开始扩散，在阱边附近的地方硅片表面变得密集，结果就是，阱表面浓度会随着距离掩模板的边沿的远近而有所不同，因此整个阱的掺杂浓度是不均匀的，这种不均匀造成MOS管阈值电压的不同，还有其它的电性能也有所不同，它会随着距离阱边距离的不同而不同，这种现象就是我们常说的阱邻近效应（WPE：Well Proximity Effect）[2]
这是哪个文档?
了解了，工艺知识需要多学习
文件名是什么?
求文档里的具体内容，让我学习学习，增长下见识，没做过这么小的工艺，不甚感激！