双层保护环

具体情况具体分析，一般来说内圈接电，外圈接地，NW环不允许暴露出来

顶楼上

一般我们画版图要求的双层保护环，指的是器件的衬底偏置环和与之相反的隔离环。例如NMOS的double ring，第一层ring是器件的bulk(衬底P+)围一圈，第二层ring是N阱围一圈n+接触的少子保护环；对于PMOS的double ring，第一层ring是器件的bulk(N阱电位n+）围一圈，第二层ring是衬底P+围一圈隔离环

同意樓上的說法
如果是整個 cell 前輩是說沒差 , 建議是 外圈是 N 內圈是 P
外圈是N 可以隔出一塊區域 , 內區是P
可以加強 這個區域的 P 底

virtuoso画Ring如何画呀?一层layer一层layer画吗?

最外边的环最好是接地的环

对于保护环，Nwell接的高电压VDD, 有没有要求，还是普通的VDD就行，或者说里面是数字电路 就接VDDD， 里面是模拟电路，就接VADD. 谢谢大家