LDO后仿真失配的问题。

LDO的基准和Vout后仿真失配，使用T90工艺，请教此工艺下有什么需要特别注意的方面哦?匹配、LOD、STI、WPE都考虑了，有一个电流镜是M1:M2=2:8，将M1改为f=2漏端电流变小，后仿真失配更小，但任然失配，各位有何经验求指教下，谢谢大家了先。

上传对应的layout看看?

共享S，两端做SA/B 大于2um,试试。

一开始是的，AAAABBAAAA加DUM，然而失配，分开放还好一点。

你的SA/B 大于2um了么? 大于2um 对Id影响才趋于一致，也可能是电路结构导致的失陪，可以试着把器件尺寸调大一些，试试。

哦，谢谢，我试下看

具体失配有多大，对路的影响是什么，是否在容忍的范围内

个人建议不要将M1，M2用ring分开，然后layout的时候考虑一下电流方向匹配，也可以做成二维的匹配试试。

失配二十几毫伏，不能忽略的

电流方向匹配?

在你的layout图中，让电流从最左边的源端进入，漏端出来，每个器件都一样。

确定Ldo的输出失调二十几个毫伏就是由上述是两个管子失配引起的?

后仿真运放增益不够导致输出没有很好的跟随基准，调整此电流镜有些变化

不是很明白，是说将背栅接触放在最左边?

比如你的layout中M2是SD DS SD DS SD DS SD DS修改成SD SD SD SD SD SD SD SD，M1也改成一样，并将M1 M2做成二维匹配。这样是否明白?

那说明是运放的增益不够，解决的办法是增大运放增益

个人觉得按dumAAAABBAAAAdum做的电流镜应该不存在失配。
问题解决了吗?确认是运放增益不够吗?

嗯，问题解决了，是要从主体入手，关注运放增益就够了，电流镜影响不是很大。