关于wellbody层

我现在用的是tsmc018的工艺，我学习别人画版图，看见许多管子都用一个大的wellbody层把他们全部覆盖（DRC LVS都能过），比如一个D触发器，就用了一个大的矩形把pmos和nmos都包完，但是我调一个管子的pcell来画时，只有管子的有效栅区才覆盖了wellbody层，那么像别人那样用一个大的wellbody层来覆盖所有的管子（当然也就覆盖了有源区）有没有什么流片的隐患啊?有人遇见过这种情况么? 而wellbody层的作用说的是用来定义栅区的

没用过这个工艺 围观。

wellbody
應該是 PDK 產生的
CAD 用
和 mask 較無相關

不是mask层。没有任何隐患，放心

那太好了，我也可以拉一大片把管子框起来而不用一个一个去画了，谢谢

想请问NMOS DNW的wellbody是做舍么用的?不加可以吗?