MOS dummy的L一定要和器件L一样大吗 ，L可以小一些吗？

可以的

大工艺问题不大 小工艺可能有sti效应的影响 希望离边界远点。比较重要的mos 还是希望一样

可以小一些，但是宽必须一样

可以小些

不需要！dummy是为了保持刻蚀时候一致性，sti或者wpe在阱边缘再考虑