如何用n阱的数据层生成p阱的数据层呢？

版图出数据，导出GDS时，只有N阱的数据层,但是FAB厂要求提供P阱 的数据层，规则中P阱的数据层是由n阱的数据层生成的，有一个计算的公式，请问各位大侠如何用n阱的数据层生成p阱的数据层呢?如何导出p阱的gds?

妈呀，你这是哪个fab.....
这些公式都是fab提供好不，他还有X问你们要

说一下是哪个FAB厂

好誇張的FAB

In most CMOS process (not HV, such as LDMOS), PW should be generated by logic operation. If foundry really need us to provide PW data, we could just draw a small PW layer in layout (this PW will be tied to substrate) then gds will include PW stream information.

工具栏上不是有个 Create>Layer Genenation 直接逻辑操作生成

请问芯片数据送出没有?期待测试结果啊，有结果回复一下，现在的工艺厂真让人担心啊

学习了

真是晕到，你这个只是简单的AND OR等逻辑运算，跟人家说的是两码事！

谢谢大家的热心解答，原来是虚惊一场，FAB去生成所需数据，不需要我们提供。

那还好