在数字电路中，mos管中工作在哪个区，模拟电路呢

可以去模拟设计版块问。

数字电路中，栅极电压Vg一般来说要么为高电平——接近power VDD，开启NMOS；要么为低电平——接近ground VSS，开启PMOS。MOS开启后会把Vd拉到接近Vs，即Vds≈0＜Vgs-Vth，但是满足Vgs≥Vth，此时MOS工作在三极管区。当MOS关断时（Vgs＜Vth），工作在截止区。模拟电路中Vg大多时候会是VDD~VSS之间的某个电压，情况会比较复杂。以电流镜为例，有些用法里面Gate和Drain是short在一起的，即Vg=Vd，那么Vds＞Vgs-Vth，MOS工作在饱和区。模拟电路中会有一些当做开关用的MOS，与数字电路类似，会工作在三极管区。还有一些特殊的用法会让MOS工作在亚阈值区。当然MOS关断的时候也就会工作在截止区。上述大小比较都是绝对值的比较。

虽然我也不是很懂电路，但是数字电路肯定不是工作在饱和区的，工作在饱和区的MOS管（以NMOS为例），要满足VDS>=VGS-VTH，以反相器为例，当输入为1时，输出为0，此时NMOS的vds几乎就是等于0的，是不可能工作在饱和区的，个人觉得是线性区，而且是深线性区。而对于模拟电路，为了电路功能的稳定，一般都是要使所有管子（特别是重要的管子）都工作在饱和区的，当然，也有一些低功耗的电路设计则要求MOS管工作在亚阈值区。也是个人看法，有错误请指正。

学习一下

学习了

有道理

这个问题，总有些模糊