金属走线问题求教

看到西交大的ppt说金属线不能通过有源区，但可以通过电阻。可是看到版图艺术图8.15Astretched-collector transistor上面是可以走线的。不知道这里有什么区别吗?
而且在外延上走线和与在PBASE上走线又有什么区别呢?

一種是不通過源區的佈線,另一種是可以在源區上佈線,後一種肯定節省面積.至於用哪一種可能要看電路具體要求.一般M1不從POLY上通過。

金属走线不建议通过要求匹配比较严格的Mos管和电阻，为节省面积可以考虑通过不要求匹配的mos和电阻，一般不会有太大问题。工艺尺寸越小，越不建议金属通过MOS的poly，特别是底层的M1,M2。
原因是应力会造成一定程度的不匹配。

metal 是否跨国poly 主要看您是否在意metal与poly之间的cap。尤其是metal 走线为clock时，更要留意。

谢谢大家。那么在BIPOLAR工艺中，金属走线通过NPN的BASE和外延有什么需要注意的吗?最近做的一颗从2.5V PAD来的信号线通过了这个PAD旁边的NPN的外延，发现有些芯片的这个NPN管子烧了！

都很厉害，学习了

luguoluguo

xuexi le a

学习了

metal跨线可能会导致几个问题吧：
1. 寄生电容。
2. 有高压的话 可能会导致场开启(parasitic channel)
3. 老工艺里 因为平坦化不好， 所以metal走线有严格要求，不能垮台阶。

最优画！

一般工艺不要太小，频率不要太高，不是match程度很高的mos，都还好

3楼正解！

谢谢flight_cai，台阶问题应该会引起金属断路吧?会造成器件烧毁吗?

应该不会吧，关注中。

学习学习

Verify your PN juction. In general, you need to have protected NPN or PNP devices.
But in PAD area, make sure you have more than enough PN junction protection because of power spike.
This maybe hard, but if you know the IO structure you know what I mean..

又学习了

这个不是很清楚，不过如果DRC不会报错的话，应该不会有问题吧

学习了哈！

来混金币的！

学习学习

看电路要求的匹配精度，如果精度不高，可以，如果要求匹配精度很高建议不要尝试，肯定会产生寄生电容的

主要是考虑两个方面
1. Metal line和poly之间的寄生电容，如果metal line或者poly device比较重要就需要考量一下影响
2. 如果Metal line上面会存在高压的情况，就需要考量metal line上面的高压通过寄生电容影响到底层的poly。