求助深n阱的添加方法？

应该是要手画，还要注意design rule及well电位等。
LZ是说“RF的MOS管周围加上深n阱”，把RF device都做在深n阱里面应该会更好吧！

有些 PDK 有 元件 ,
沒有的話就自己加了

谢谢你的回答，那你说的RF device具体是指些什么呢，是不是包括电感，电容之类的（我用的电容是普通的MIM电容，不是rf的好像）

好的，我懂了，谢谢

就是你RF模块里面所有的器件，因为你的标题里面只写到MOS，还有可能有电阻、电容等，都一起放深N well里面。即使RF模块里面你用的是普通的MIM电容，如果它们工作在高频高速条件下，产生的noise仍会影响到别的模块。

放在深井里，模型也要跟着变吧?

这样啊，我做的是单片的LNA，是不是最好也要分别对各个器件进行深N阱的隔离呢?感谢回答。

有可能，根据制程实际情况吧！如果要变，那就要和designer沟通看是否有必要了，并且这种RF的模块一般都要跑后仿确认性能是否OK。

对各个器件隔离应该不太需要吧！可以和designer讨论，根据实际工作频率、功能等是否需要分模块隔离，也或许都放在一个深N well里面也还好，case to case吧，取决于实际情况。