MOS管饱和时的电流

过驱动电压恒定，饱和区电流当然也就恒定啦。

饱和之后，沟道恒定，电流也恒定了，也是为了正常工作啊！要是电流不稳定还怎么正常工作

我想我应该说的详细点，MOS管的饱和是由于夹断现象引起的，那么这时候沟道在漏端已经消失了，如何还能保持一个大的电流呢?

模拟版图艺术有提到过，好像是说漏端的电势使到达夹断边缘的电子高速通过夹断区到达漏端，找那本书看看

同意4楼，貌似要用电动力学方面的知识，磁场电场之类的解释，当年问老师，也都是支支吾吾的，确实不好解答。

夹断部分的电场强度会相当大，电子可以在大电场下穿过夹断的区域

看过那本书的，也看到了这部分，不过没懂！有沟道时的电流反而不如沟道夹断时候的电流大或者和夹断时候差不多大，这个让我和困惑。谢谢大家回复，不过我还是没懂呢。

D端电压变大，电流当然大啦，夹断后电流才不受电压影响

只能说基本恒定，毕竟还有沟道调制效应，小编找本晶体管原理看看吧

我这里也不大明白啊 饱和区导电问题不大 进入饱和区后夹断点跟漏极之间没有强反型 但耗尽层原先的多子也能导电吧（所谓的电场把电子拉过去）我疑惑的是缓变沟道近似 薄层电子近似后推出的饱和电流方程 饱和电流应该反比于实际沟道长度（夹断点跟源极）啊 漏源电压加大 夹断点向源极移动 饱和电流别说饱和 不是都要发散了?这时候书上说忽略实际沟道长度变化 取沟道长度恒定为最大值。我就晕了。求帮助 另外实际特性图里饱和区电流也是略微上升的 求解释

漏端电压很高，沟道夹断，电子通过夹断部分，也就是一个很强的电场

试着解释一下，其实在沟道夹断后，沟道电流是由沟道等效阻抗决定的，所有到达夹断部分边缘的载流子会全部被拉到漏区，一般情况这部分的作用可以忽略。
如果栅源电压一定，饱和沟道阻抗几乎保持不变，所以漏源电流几乎是一定的。
实际上当源漏电压改变时，沟道长度是会有微弱变化的，就是平常所说沟道调制效应。
在VGS一定的情况下，只有在漏源电压小于VGS-VTH，夹断才会消失，电流开始随VDS“线性”变化，管子进入线性区。
所以在VGS一定的情况下，饱和区时的VDS大于线性区时VDS，相应的电流，饱和区电流高于线性区电流也就是完全自然的事。

我也不懂，小编懂了吗?能给我解释一下吗?谢谢啦

我还是没看懂，沟道夹断后，电子是怎么流过去的呢?小编懂了的话，能给我解释一下吗?谢谢啦

以NMOS为例，“夹断”后，沟道夹断点和漏端之间是耗尽区，当电子从源端过来达到夹断点时，会受到漏端和夹断点之间强电场的吸引，通过耗尽区，到达漏端。
漏端和夹断点之间“强”电场怎么来的?夹断点的电压是固定的（Vgs-Vt），那么剩下的Vds-（Vgs-Vt）都落在了耗尽区上，也就是落在漏端和夹断点之间。这个“强”电场的“强”也是相对耗尽区的宽度来说的，夹断点靠近漏端时，耗尽区窄，落在其上的电压也小；夹断点远离漏端时，耗尽区变宽，落在其上的电压也大了。
怎么通过耗尽区的?既然已经形成耗尽区，那就意味着PN结两端有电压差。耗尽区是“没有”电子或空穴的区域，当电子到达耗尽区电压低的一边边缘时，PN结的电压差就迫使电子往电压高的那边移动了。

最近看了一点《半导体器件基础》，刚好有一部分讲到这个，和你的说法类似。所以也算是明白了。感谢大家的回复！

NMOS 下面的反型层，是N 型的。所以反型层里面自由移动的都是
电子。
现在这些电子移动到夹断区附近。那里是一个反偏的PN 结。在这个
PN 结里面，电场的方向是从漏极指向源极的。电子刚刚靠近这个结，
立刻就会被这个结中的电场俘获，并且扫走。最终抵达漏极形成电流。