DRAM Lyaout问题请教

请教一下各位大大，在布局一个28fF的DRAM时，有下列几个小问题1、bit-line是否使用metal? word line是否是使用poly?
2、若要layout一个28fF的DRAM，再计算其电容值的时候，其poly2、poly3的间隙，是算其5个互相平行的面就好吗?还是转角处也要算进去?(已知d 为100×10^-10,介电系数是使用空气的介电系数，poly2的高度为4000×10^-10）
3、poly2、poly3位置在应该布局在何处?
4、poly2和poly3在在rule里面同poly的rule情况下，是否要会和poly1有两个poly之间间距的问题，还是不同层不会影响到?
5、是不是每个电晶体都要搭配一个电容?
小弟刚学习布局，以上小问题希望有大神帮忙回答

咦，哪个公司做DRAM?

強，推一下。

这个要看你用的什么工艺

不明觉厉