求有经验的高手解答OD2在tsmc 0.18um 1.8V/3.3V cmos Mixed Signal Process中的使用

tsmc 0.18um 1.8V/3.3V cmos Mixed Signal Process Design Rule中介绍OD2是用来区分1.8V和3.3V Device的，其他资料中介绍说OD2既是厚氧化层，那么理论上讲，它的作用应该主要集中在cmos的gate上了，所以，layout中我只在3.3V的cmos上覆盖了OD2用来区别于另外的1.8V cmos，但是在相对应的3.3V cmos周围的guardring上并没有覆盖OD2，也就是说，1.8V&3.3V的guardring都是一样的做法（不加OD2），请问这样是否OK?会不会有什么不妥的地方?

理论上应该没错，但通常不这么做，一般都是最后一大片盖住整个区域,感觉大块图形应该比几个小图形的工艺失配小些

哦，是的，从工艺上来讲，最后确实应该覆盖整个区域。我现在的做法就是一个区域一个区域的独立覆盖，不过这一版已经交出去了，只要没有问题就好。后面可以改进。谢谢啦。

od2只是起运算作用的，和ring没有逻辑运算，加不加在ring上都无所谓的

肯定是没有关系的，因为这两个mask没有相关性

好问题啊，谢谢