RF MOS layout 问题

PMOS deepnwell可有可无
一般deepnwell工艺是相对N腔而言，用于P+抄底防止基板short

增強junction isolation

隔离。屏蔽。

貌似这个地方的DN没什么作用

DNW 可以起到隔离psub的作用；作用和psub2类似；只不过psub2是虚拟隔离，dnw是物理真实隔离；
形象的说法：无dnw的工艺，整个psub是相连的，犹如地表，如果此时围上一圈NW ring，就是类似于挖了一圈壕沟，NW围起来的区域表面上和外部被壕沟隔断了（底下都是地球还是相连的）；此时再加入DNW，相当于壕沟底部再挖个平面，这时候这块区域就彻底独立出来了；

很形象，说的很好

说的很形象具体，学习了。

非常感谢您的指导！但是我还有一个疑问就是如果dnw的作用是隔离psub和nw，那么直观上dnw的面积应该比nw大才对，为什么版图上看dnw面积小于nw面积，这不就等于只隔离了一部分吗?
另外还有一个问题请教您，就是如果rfmos在外加guard ring的话，那么guard ring是需要加电位呢，还是直接接地?如果需要加电位那么是要在GSG pad旁边再加一个直流pad吗?

您的理解还是不太正确：dnw的作用是隔离psub，并非nw；nw和nw 之间本来就是不相连的，并不需要额外做隔离（实际layout中我们会再用p ring来隔离是为了强化隔离这件事情）；psub默认是和wafer衬底相连的，用nw隔离效果并不是很好，底部还是相连，然后才会引入dnw的概念；随手画的一张图O(∩_∩)O

DNW 放在nmos下面起隔离作用，前面已经有人讲的很详细了。
放在pmos下面主要还是增强管子的能力。因为nw的注入深度有限，加入DNW可以增加nw的深度，可以提供更深的沟道，因为是RF的应用，或许还有耐压的考虑。

学习了，真好

感谢大家的回答！还有一个问题：就是如果rfmos在外加guard ring的话，那么guard ring是需要加电位呢，还是直接接地?如果需要加电位那么是要在GSG pad旁边再加一个直流pad吗?希望不吝赐教！