PLUS问题

好奇一件事，为什么MOS管PLUS会贯穿源、沟道、漏区呢?例如，PCHH2中PPLUS会贯穿源、沟道、漏区。难道不是应该在沟道断开吗?难道是因为现在用的都是耗尽型的?

你懂不懂自对准吗?

现在大部分都是自对准工艺。在栅做好，Drain和Source开窗后，再进行离子注入。栅覆盖下的体上，其实并不是离子注入区域。
不知道是不是这个情况。

跟自对准有关系吗?MOS管的S/D肯定是N或者是P，但是沟道肯定与其相反啊！而版图中MOS管的PPULS却覆盖了S\D\G

貌似明白了。PLUS是改变的是S/D，而沟道有G挡着。所有S、D、G才会处于PLUS之中···这是您的意思吗?

好吧···我承认，我对工艺理解不深····小白一个····貌似明白是怎么回事了··还一直以为PLUS指的的是衬底··原来不是这样

衬底 是指 NWell 或是 PSUB 吧