关于rpploy环境问题？

各位路过的哥哥姐姐，请问rpploy两端电阻，做在NW包裹的N+ guardring（NGR）中和做在PSUB环绕的P+ guardring（PGR）中有什么区别吗?对电阻有影响否?rpploy能做在PGR中吗?
请大家指点一下，谢谢！

没什么关系

据我所知，poly电阻做在NW上面（NW接干净电源）或者poly电阻做在Psub上（周围一圈p guarding接干净地），这两种都是为了减小衬底强噪声对电阻的影响。
不同的是，一个下面接电源，一个下面接地，这样对电阻产生的电场影响不一样。
另外你第一个图里，NW里面还有个P+环是怎么回事?

第一个图表示的是 rppoly是p+覆盖的. poly电阻我使用到rppoly和rnpoly这两者从版图上看，区别就是一个有P+，一个有N+.图中以rppoly为例，就是想知道分别置于PGR和NGR，会有什么影响? 我个人认为rppoly置于NW包裹的NGR是最好的，但也有人有不同意见，我是想了解那种更好！谢谢

理论上来说，应该是放在NW上面对噪声的屏蔽更好一些。