求问SMIC55nm的普通工艺和RF工艺有什么差别啊？

在SoC中需要集成AD与PLL，上一版用的smic0.13um mmrf的工艺，普通的与RF的都是同一种工艺。这一版改用55nm的，普通的与RF的就分开了。但是因为PLL必须要用RF的工艺，所以AD也只有跟着用RF的工艺了。AD的采样率是100M，还远算不上RF吧，这样做会对AD的性能有什么影响吗?想请教一下55nm普通的和RF的工艺具体的差别主要在哪些方面啊?是spice model有差别吗，还是DRC的时候会不一样啊?求大牛指导。

工艺设计都是 LL -->mixed--> RF 是一级一级加上去的。如果你设计中未用到RF 的device，就是和LL 的base 一致。
你可以SMIC的CE 或者AE 联系获得更多消息，或者看看文档里面是否有相关内容。
SMIC的文档描述一直是个问题，但是国内的设计者也没有看文档的习惯，共同努力互相促进吧。

不知道了