关于LED驱动中的功率开关管的疑问，求高手指教！

虽然设计的开关管的尺寸很大，但是还是由小的功率管组合成的，请问组成开关管的单个功率管的尺寸是不是要符合ESD的设计规则（因为工艺库提供的功率管的沟道长度都是确定的1.2u，只有W可以更改。而ESD设计规则里面要求长度至少1.8u，宽度35u至45u。所以如果必须符合ESD规则的话，我必须自己画功率管），因为我听说开关管的漏端输出，且面积又大，不需要额外的ESD保护。求大神指教！谢谢！

可以按照ESD得结构画，但是不必完全按照他的rule来。

问下电路设计者吧，采用1.2u的管子行不行，或者按比例缩小或扩大尺寸，以符合规则要求。

1. 驱动管高压还是低压?
2. P管还是N管?
3. 是否能从foundry拿到这个驱动管不同size的esd测试数据?
4. ESD防护对于新工艺来说是个挑战，所以需要做很多的尝试，或许很幸运，一次搞定。
5. 增大length会增加Rdson,那么size也会增大，esd防护很多时候是通过调整drain contact to gate spacing,个人认为可以维持现有的length

是高压的N管，谢谢~

个人认为有以下方案用来参考：
1. 不知用的是哪家的工艺，通常来讲，foundry在开发这个device的时侯会考虑到它的esd能力，可以问问foundry有没有这个器件的esd测试数据用来做参考
2. 尝试用器件本身来扛esd,因为size很大，所以能够扛一下，但是高压N管有snapback特性，所以在esd状态下导通均匀性会很差，所以layout时需要注意，同时这个器件在esd状态下gate端的状态未知，所以也会影响esd的性能
3. 如果pcell能够做到改变drain contact to gate spacing那是最好不过的了，可以适当增加这个spacing, 来增强esd性能，如果增加这个spacing,那么电路里面也要看到这个参数，因为它会影响器件的特性
4. 在这个n管上并上一个esd器件，让esd器件的Vt1小于这个器件的breakdown电压
拙见而已，欢迎指正，哈哈。