问两个工艺方面的问题~
2.双极工艺的基区注入、发射区注入与MOS工艺的P注入、N注入有什么区别?
mos管有多晶，而bipolar这是基区发射区，其两个工艺用的隔离方法不一样。
CMOS和BiCMOS都有多晶呢，怎么区分。双极的基区注入和发射区注入与MOS工艺的P.N注入有什么区别?
CMOS工艺中只提供寄生的bipolar。BICMOS 工艺中的bipolar是需要通过增加一些层次来实现，所以一般来讲biCMOS中的bipolar特性更好。
因为bipolar的特性需求，双极的基区注入剂量较轻且比P/N较深，所以工艺上是分开进行。一般发射区注入的浓度和深度与N/P注入较为接近，在一些工厂的工艺里是一次完成的。
那怎么从芯片上看出此芯片用的什么类型的工艺呢?
标准CMOS工艺前道工序（不考虑高压器件、高阻和PIP电容）只有NWELL，PWELL，TO，GT，N+，P+，不能做VNPN器件。工艺中包含有源器件只有NMOS、PMOS、衬底PNP。
双极工艺就是做bipolar的，VNPN，LPNP，衬低VPNP。
BiCMOS工艺就是两种工艺的结合，可以做NMOS、PMOS、VNPN、LPNP和衬底VPNP，工艺层次就多了，成本提高了。
还有BCD工艺，在BiCMOS工艺基础上，可以做LDMOS和JFET，工艺就更复杂了。
你如果有各种工艺的Design Rule，对比一下层次就明白了。
3Q，前两天刚和公司一位师兄讨论了，对这些问题也明白多了。有问题大家一起讨论，确实要明白得多。
小编的问题问的不清楚
哪里不清楚?
新手，路过。暂时看不懂
反向时关注看到的器件类型
CMOS工艺只能制作MOS管，BCD工艺是将MOS管和双极型晶体管制作在一块芯片上，是BIPOLAY和CMOS工艺的结合
从没听说过不知道芯片使用的工艺就开始做反向的。
这个很正常
那是剖片，不是反向。没有工艺，拿什么model去仿真呢?
很多小公司的项目都是看市场上什么卖的好就反向什么的，有的datasheet上面不会告诉你什么工艺的。
尤其是模拟芯片，很多厂家都有自己的产线，你能拿到人家的model吗?
我也很想理解