求教几个画版时遇到的名词

在用tsmc18工艺画版时，里面遇到了od,diff,nimp的图层，我想知道的是，od是否等于diff?或是等于nimp?mos管的SD区到底是od还是diff?
nimp是用作什么?
感觉guide里面说得摸棱两可的。

你说的od应该是和diff一样的，就是有源区，名字不一样而已。
nimp从名字上看是注入区，其实我觉得应该是场氧区的取反，也分为p和n。其中的面积内生产有源器件。
半导体物理很久没看了，可能说的不准确，你参考。

od=oxidediff=diffusion nimp= n type implant
能不能把tsmc。18的design rule给小弟发一份tot87@163.com

od是场氧化层，diff是扩散，nimp是n注入。od和diff、nimp是不一样的，od抑制鸟嘴效应。diff是扩散区，然后在其上注入nimp或者pimp就形成SD区。

OD控制鸟嘴效应的?过去还真不知道，我认为imp控制鸟嘴。我再查查。多谢了。但是我在tsmc18中没有看到OD层，只有OD2层，而这一层看起来是区分高/低压管子的。

不行啊，我自己都只能用，在公司拷不出来。

od是场氧层的话，就是LOCOS生成的那层起隔离作用的厚氧化层吧?那怎么就等于diff了呢?
还是说od是整个nimp注入区之上的薄的二氧化硅?

不好意思！昨天说错了。我以为.18是locos工艺，所以才那么说的。今天看了一下相关资料，才知道它是STI工艺。od是薄栅氧，diff是扩散，nimp是注入。od和diff是一样的。
谢谢，请指正！

不好意思！昨天误以为tsmc.18的是locos工艺了。

每个工艺应该会给你PDK吧，你去看看每个图层是怎么命名的。

NMOS的drain & source应该是OD & Nimp