SD/MMC 卡写时序请教

SD/MMC 卡写时序请教
最近准备用FPGA实现对SD/MMC卡的控制，在读规范时一直有个疑问，因为我的控制逻辑设计用在AD转换方面，对写时序的要求较高，而对读几乎没什么要求。
所以就写时序的一些疑问请教大家：
1、写时序怎样达到吞吐速率最高?
肯定选择block write模式。在这种方式下，擦除有两种模式：
A、只管发送block write命令，这时候Erase操作是隐含的。
B、Erase操作是显现的，即先发送Erase命令，然后选择Multiple block write with pre-defined block count命令。
这两种哪种会快一些?
2、Erase操作
显现发送Erase命令，是以ERASE_GROUP为单位的。而写操作是以block为单位的，在进行写操作时，Erase隐含在写操作中。这会不会造成一些数据丢失?
譬如我要写某GROUP的一个block，隐含的Erase会不会把其他block数据全部擦除?
3、写操作的busy怎样计算?
在进行block write时，SD/MMC 卡会在data0出现busy状态，这种状态最多持续多长时间?我看规范和一些器件手册都没有标出来。因为这涉及到SD/MMC 卡的实际数据吞吐量。
在高速SD/MMC 卡中，虽然Burst data会达到52Mhz，但如果他的busy状态持续时间很长，则平均速率会很低。
请各位大侠不吝赐教

busy 长度看看说明书, 一般上10ms, 跟你没关系, NAND FLASH 写就是这么慢.

记得写过程为: store->erase->write
所以当然光 erase 是最快的啦~

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