半桥驱动芯片FNA7391驱动IGBT的问题

问题是这样的： FNA7391驱动类似于FGA40T65UQDF这种IGBT时候，驱动起来后GE之间的电压差是多少？会不会烧坏MOS。一般之前我做的驱动MOS，GS之间会加一个稳压管，防止GS电压差大于正负20V的范围，难道这里驱动IGBT不需要考虑GS压差么？驱动电流80A行么？
   另外这种半桥芯片可不可以驱动大功率MOS 600V 30A的。
   附图见下面。

GS(E)间最大驱动电压 15*R2/(R1+R2) 15*R4/(R3+R4)

我要驱动300V 80A, IGBT通了之后OUTPUT处的电压是300V，这个时候R1R2之间的分压点处的电压是多少？是不是应该在300±20V范围内？
另外用这个半桥驱动这两个IGBT有没有问题？

可以用。参考驱动芯片数据手册中提到的应用笔记AN-6076，AN-9052等。