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MOSFET驱动芯片很快烧坏

时间:12-13 整理:3721RD 点击:
我用一个buck电路做LED驱动,使用IRS21850做主电路的MOSFET驱动芯片
图1是主电路,其中M28是一直导通的
IRS21850不是推荐接法,使用了一个电荷泵使得VB和VS之间有15V固定压差
但是现在开启的话电路很快就烧坏,用热像仪看了一下发现IRS21850发热很厉害
而且很快就烧坏
测试了Vg和Vs,发现Vgs虽然有脉冲开关的过程,但是Vs没有被二极管拉低
不知道这个是不是IRS21850被烧毁的原因
还请大牛们帮忙给看一下出了什么问题,感谢!

220V直接整流滤波进来然后buck么...

图上这么画的,其实是给了一个100V的直流电源

你的LED多大电流?100V的话应该有现成的LED驱动可以用了

现成的肯定有嘛,我们是做点研究,发点garbage paper :)
电流不大,也就是300mA左右
按说MOSFET栅极驱动的电流不会太大啊,怎么IRS21850发热这么厉害?

目测电压电流重叠很多,开关损耗不小。

这个会影响栅极驱动电流吗?
或者会导致栅极驱动芯片烧坏吗?
谢谢!

电压多高? 看样子没多大功率啊。。。 100V 300mA也就是30W
我做过12V输入,输出6V 15A的LED驱动

输入电压100V,功率是不大
但是就是IRS21850老烧,甚至是秒烧
降低了输入电压能坚持时间长点,可以看到IRS21850很快就发热
会不会是版图的问题?

搞不懂IRS21850和电荷泵是怎么接的。。

请看附件
通过电荷泵产生一个15V的压差
低压端接IRS21850的VS,高压端接VB

IR2对VS2的电压能保证不超过20V吗
VCP是浮在VS2上的还是相对于PGND的呢,如果是后者,感觉在M1每个方波周期内,会把一个VIN*C21的电量充到C20里面,当VIN足够高时,C20上的电压(相对于VS2)可能超出允许值

感谢!现在明白了烧坏的原因了
这个电路是个简化的,实际是想用多路输出,M28只是其中一个支路。

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