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有遇到过DDR3时钟跑不上去的问题么

时间:12-13 整理:3721RD 点击:
比如本来是设计到1066M时钟,如果没跑上去,安卓系统只跑到500多M,这种应该是layout的原因了吧,具体是什么原因呢,大家遇到过么,怎么解决的呢

PCB最直接的影响就是等长了,其次可能是Vref。
可能还有内存芯片,参数,etc。

也就是DQS组内的DQ不等长吧,我能想到的也就是TDQSDQ这个参数可能不满足,需要降频

除了等长,间距线宽影响也比较大,间距2W了么,串扰可能比阻抗不连续的影响还要大些
制版叠层也容易出现误差,过孔打的够不够,距离地越小越好,减少辐射。

2W还真不一定要满足。我DDR跑到1800,不满足2W,照样没问题。满足2W实在是太贵了。

Re
不放心仿一发就好。

layout问题70%,30%参数配置问题。

fpga ddr能跑到1800?
这么猛

ZU+官方说可以DDR4-2400.
Zynq的DDR3我用1333的颗粒跑1600,短时间未见异常。
PL的话就没那么高了,官方的A7也就是DDR3 800/1066这个级别。

Zynq 7000 -2跑到的。理论能跑1866,我时钟不合适gen不出来这个频率,就没测。
做了一批跑1800都稳稳的。

我就是在PL跑的。。。

pl能跑到 那k7理论上也行?

re。一样的

库卡用的好像是7030?K7核。
这个DDR3在-2 HP上就是1866max的Spec,4:1的话。
如果在A7的PL上,等于HR IOB的性能翻倍了。。。
PS上1866我觉得努努力也是能够到的。

我的k7只跑1600 没往上试过 回头测测
曾有一个人告诉我kc705只能跑1333 我以为我跑1600已经到头了..

实测效率如何
除了整行读写 还有什么提高效率的trick么

读写调度策略,Bank/Row/Column地址顺序,前面的AXI Interconnect的fifo深度、宽度,等等都超级影响效率。

DS有写啊,AUX_IO 2.0V的话,可以跑到1866.

re,但是要联系FAE。我联系了一下FAE,FAE说没人找过他们问这个问题,给我一堆文档号让我挨个看一遍,就是相关那几个文档啦。。。

等价于Xilinx觉得自己能跑到,等着吃螃蟹的联系FAE?这钩子直。

我觉着还可能是他们觉着跑1866太难,很难meet他们手册里的所有layout要求,所以要FAE检查一下,然而FAE嫌我们太小了懒得来看?

这个还真遇到过,800M只能跑到533M,最后发现是DQ的一些参考平面没有处理好

这个咋发现的?

多谢,也就是信号完整性没过关?

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